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去離子佈植技術製作低雜訊砷化銦錠金屬半導體場效電晶體之研發(i)=dev... ~ 交通大學材料科學工程研究所

 

• 去離子佈植技術製作低雜訊砷化銦錠金屬半導體場效電晶體之研發(i)=development of ion implanted low-noise ingaas mesfet

• 紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
  其他作者:	馮明憲
  團體作者:	交通大學材料科學工程研究所
  出版地:	台北市
  出版者:	科學技術資料中心;
  出版年:	1994
  面頁冊數:	54頁 : 11x15公分;
  附註:	NSC83-0404-E009-011

• 去離子佈植技術製作低雜訊砷化銦錠金屬半導體場效電晶體之研發(i)=development of ion implanted low-noise ingaas mesfet
• 交通大學材料科學工程研究所
  
  去離子佈植技術製作低雜訊砷化銦錠金屬半導體場效電晶體之研發(i)=development of ion implanted low-noise ingaas mesfet / 交通大學材料科學工程研究所 ; 馮明憲 著 - 台北市 : 科學技術資料中心, 1994. - 54頁 ; 11x15公分.
  NSC83-0404-E009-011.
  
  馮明憲

• 去離子佈植技術製作低雜訊砷化銦錠金屬半導體場效電晶體之研發(i)=development of ion implanted low-noise ingaas mesfet
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條碼號	典藏地名稱	館藏流通類別	資料類型	索書號	使用類型	借閱狀態	預約狀態	備註欄	附件
804440300000110	三樓視聽資料區	3.不外借	微縮資料	MF 440.3 XXXX	1.一般(Normal)	在架	0

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