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去mocud法研製量子井& 摻雜砷化鎵/砷化銦鎵應力層高電子移動率電晶體...

成功大學電機工程研究所

去mocud法研製量子井& 摻雜砷化鎵/砷化銦鎵應力層高電子移動率電晶體=the fabrication of quantum well &-doped gaas/ingaas s..

去mocud法研製量子井& 摻雜砷化鎵/砷化銦鎵應力層高電子移動率電晶體=the fabrication of quantum well &-doped gaas/ingaas s..
許渭州

去mocud法研製量子井& 摻雜砷化鎵/砷化銦鎵應力層高電子移動率電晶體=the fabrication of quantum well &-doped gaas/ingaas s.. / 許渭州著 ; 成功大學電機工程研究所 - 台北市 : 科學技術資料中心, 1991. - 90頁 ; 11x15公分.
NSC80-0404-E006-057.

去mocud法研製量子井& 摻雜砷化鎵/砷化銦鎵應力層高電子移動率電晶體=the fabrication of quantum well &-doped gaas/ingaas s..
LDR:00498nhm 2200133 450 001 62883
009 8508238
100 $a 20100607d1991 0chiy0900 e
101 $a chi
102 $a tw
200 1 $a 去mocud法研製量子井& 摻雜砷化鎵/砷化銦鎵應力層高電子移動率電晶體=the fabrication of quantum well &-doped gaas/ingaas s.. $f 許渭州著 $g 成功大學電機工程研究所
210 $a 台北市 $c 科學技術資料中心 $d 1991
215 $a 90頁 $d 11x15公分
300 $a NSC80-0404-E006-057
700 $a 許渭州 $4 著 $3 62801
712 $a 成功大學電機工程研究所 $3 62283
801 1 $a TW $b 大葉大學 $c 19960719