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繁化銦鎵/鉀化錠高崩潰電壓金屬一半導體場效電晶體之研製=the stud... ~ 台灣大學電機工程研究所

 

• 繁化銦鎵/鉀化錠高崩潰電壓金屬一半導體場效電晶體之研製=the study of gaimp/gaao high break dem mesfet

• 紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
  其他作者:	呂學士
  團體作者:	台灣大學電機工程研究所
  出版地:	台北市
  出版者:	科學技術資料中心;
  出版年:	1994
  面頁冊數:	52頁 : 11x15公分;
  附註:	NSC83-0404-E002-015

• 繁化銦鎵/鉀化錠高崩潰電壓金屬一半導體場效電晶體之研製=the study of gaimp/gaao high break dem mesfet
• 台灣大學電機工程研究所
  
  繁化銦鎵/鉀化錠高崩潰電壓金屬一半導體場效電晶體之研製=the study of gaimp/gaao high break dem mesfet / 台灣大學電機工程研究所 ; 呂學士 著 - 台北市 : 科學技術資料中心, 1994. - 52頁 ; 11x15公分.
  NSC83-0404-E002-015.
  
  呂學士

• 繁化銦鎵/鉀化錠高崩潰電壓金屬一半導體場效電晶體之研製=the study of gaimp/gaao high break dem mesfet
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條碼號	典藏地名稱	館藏流通類別	資料類型	索書號	使用類型	借閱狀態	預約狀態	備註欄	附件
804448000000242	三樓視聽資料區	3.不外借	微縮資料	MF 448 XXXX	1.一般(Normal)	在架	0

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