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砷化鋁銦/磷銦高速場效電晶體之研製與數值模擬=the fabricati... ~ 成功大學電機工程研究所

 

• 砷化鋁銦/磷銦高速場效電晶體之研製與數值模擬=the fabrication and simulation of inalas/inp hemts grown by mocud

• 紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
  作者:	方寶村
  其他團體作者:	成功大學電機工程研究所
  出版地:	台北市
  出版者:	科學技術資料中心;
  出版年:	1992
  面頁冊數:	75頁 : 11x15公分;
  附註:	NSC81-0404-E006-436

• 砷化鋁銦/磷銦高速場效電晶體之研製與數值模擬=the fabrication and simulation of inalas/inp hemts grown by mocud
• 方寶村
  
  砷化鋁銦/磷銦高速場效電晶體之研製與數值模擬=the fabrication and simulation of inalas/inp hemts grown by mocud / 方寶村 著 ; 成功大學電機工程研究所 - 台北市 : 科學技術資料中心, 1992. - 75頁 ; 11x15公分.
  NSC81-0404-E006-436.

• 砷化鋁銦/磷銦高速場效電晶體之研製與數值模擬=the fabrication and simulation of inalas/inp hemts grown by mocud
• LDR:00480nhm 2200133 450 001 62158
  009 8507510
  100 $a  20100607d1992 0chiy0900 e
  101 $a  chi
  102 $a  tw
  200 1 $a  砷化鋁銦/磷銦高速場效電晶體之研製與數值模擬=the fabrication and simulation of inalas/inp hemts grown by mocud $f  方寶村 著 $g  成功大學電機工程研究所
  210 $a  台北市 $c  科學技術資料中心 $d  1992
  215 $a  75頁 $d  11x15公分
  300 $a  NSC81-0404-E006-436
  700 $a  方寶村 $4  著 $3  47946
  712 $a  成功大學電機工程研究所 $3  62283
  801 1 $a  TW $b  大葉大學 $c  19960716
  

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