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模擬姓量測深半導體陷阱對轉換現象的影響
~
台灣技術學院電子系
模擬姓量測深半導體陷阱對轉換現象的影響
紀錄類型:
微縮資料 : 單行本
其他作者:
張勝良
團體作者:
台灣技術學院電子系
出版地:
台北市
出版者:
科學技術資料中心;
出版年:
1991
面頁冊數:
29頁 : 11x15公分;
附註:
NSC80-0404-E011-006
模擬姓量測深半導體陷阱對轉換現象的影響
台灣技術學院電子系
模擬姓量測深半導體陷阱對轉換現象的影響
/ 台灣技術學院電子系 ; 張勝良 著 - 台北市 : 科學技術資料中心, 1991. - 29頁 ; 11x15公分.
NSC80-0404-E011-006.
張勝良
模擬姓量測深半導體陷阱對轉換現象的影響
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19960708
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全部
三樓視聽資料區
館藏
1 筆 • 頁數 1 •
1
條碼號
典藏地名稱
館藏流通類別
資料類型
索書號
使用類型
借閱狀態
預約狀態
備註欄
附件
804448600000046
三樓視聽資料區
3.不外借
微縮資料
MF 448.6 XXXX
1.一般(Normal)
在架
0
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1
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