語系:
繁體中文
English
日文
簡体中文
說明(常見問題)
登入
回首頁
切換:
標籤
|
MARC模式
|
ISBD
利用電化學蝕刻方法在矽晶片上形成高深寬比的巨孔洞陣列及沸石的製備
~
清華大學化學所
利用電化學蝕刻方法在矽晶片上形成高深寬比的巨孔洞陣列及沸石的製備
紀錄類型:
微縮資料 : 單行本
作者:
高淑琪
其他團體作者:
清華大學化學所
出版者:
行政院國家科學委員會科學技術資料中心;
出版年:
1999
面頁冊數:
141頁 : 11x15公分;
標題:
化學 -
附註:
MOE88-0002-873478
利用電化學蝕刻方法在矽晶片上形成高深寬比的巨孔洞陣列及沸石的製備
高淑琪
利用電化學蝕刻方法在矽晶片上形成高深寬比的巨孔洞陣列及沸石的製備
/ 高淑琪 撰 ; 清華大學化學所 : 行政院國家科學委員會科學技術資料中心, 1999. - 141頁 ; 11x15公分.
MOE88-0002-873478.
化學
利用電化學蝕刻方法在矽晶片上形成高深寬比的巨孔洞陣列及沸石的製備
LDR
:00422nhm 2200133 450
001
306253
009
9128878
100
$a
20100608d1999 0chiy0900 e
101
$a
chi
102
$a
tw
200
1
$a
利用電化學蝕刻方法在矽晶片上形成高深寬比的巨孔洞陣列及沸石的製備
$f
高淑琪 撰
$g
清華大學化學所
210
$c
行政院國家科學委員會科學技術資料中心
$d
1999
215
$a
141頁
$d
11x15公分
300
$a
MOE88-0002-873478
606
$a
化學
$3
2705
700
$a
高淑琪
$4
撰
$3
329628
712
$a
清華大學化學所
$3
60364
801
1
$a
TW
$b
大葉大學
$c
20030124
筆 0 讀者評論
全部
三樓視聽資料區
館藏
2 筆 • 頁數 1 •
1
條碼號
典藏地名稱
館藏流通類別
資料類型
索書號
使用類型
借閱狀態
預約狀態
備註欄
附件
833340000000846
三樓視聽資料區
3.不外借
微縮資料
MF 340 0031 V1
1.一般(Normal)
限閱(視聽區)
0
833340000000847
三樓視聽資料區
3.不外借
微縮資料
MF 340 0031 V2
1.一般(Normal)
限閱(視聽區)
0
2 筆 • 頁數 1 •
1
評論
新增評論
分享你的心得
Export
取書館別
處理中
...
變更密碼
登入