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利用兩階段氮化氧化層及非晶矽閘電極改善次微米金氧半電晶體電特性

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吳伯峰

利用兩階段氮化氧化層及非晶矽閘電極改善次微米金氧半電晶體電特性

レコード種別:	マイクロフィルム : モノグラフ
著者:	吳伯峰
副次的な著作責任 :	清華大學工程與系統科學所
出版された:	行政院國家科學委員會科學技術資料中心;
出版年:	1999
記述:	115頁 : 11x15公分;
主題:	工程與系統科學 -
注記:	MOE88-0002-873149

利用兩階段氮化氧化層及非晶矽閘電極改善次微米金氧半電晶體電特性
吳伯峰

利用兩階段氮化氧化層及非晶矽閘電極改善次微米金氧半電晶體電特性 / 吳伯峰撰 ; 清華大學工程與系統科學所 : 行政院國家科學委員會科學技術資料中心, 1999. - 115頁 ; 11x15公分.
MOE88-0002-873149.
工程與系統科學

利用兩階段氮化氧化層及非晶矽閘電極改善次微米金氧半電晶體電特性
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