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蝕刻技術於氮化鎵半導體元件製作上之研究及其應用
~
清華大學電子工程所
蝕刻技術於氮化鎵半導體元件製作上之研究及其應用
紀錄類型:
微縮資料 : 單行本
作者:
謝志聰
其他團體作者:
清華大學電子工程所
出版地:
台北市
出版者:
行政院國家科學委員會科學技術資料中心;
出版年:
1999
面頁冊數:
211頁 : 11x15公分;
標題:
電子工程 -
附註:
MOE88-0002-859001-D
蝕刻技術於氮化鎵半導體元件製作上之研究及其應用
謝志聰
蝕刻技術於氮化鎵半導體元件製作上之研究及其應用
/ 謝志聰 撰 ; 清華大學電子工程所 - 台北市 : 行政院國家科學委員會科學技術資料中心, 1999. - 211頁 ; 11x15公分.
MOE88-0002-859001-D.
電子工程
蝕刻技術於氮化鎵半導體元件製作上之研究及其應用
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20030118
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