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以單原子摻雜製作ingap/gaas 高增益，低補償電壓的單及雙異質接面... ~ 國立台灣海洋大學電機工程學系

 

• 以單原子摻雜製作ingap/gaas 高增益，低補償電壓的單及雙異質接面雙極性電晶體

• 紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
  作者:	羅文雄
  其他團體作者:	國立台灣海洋大學電機工程學系
  出版地:	台北市
  出版者:	行政院國家科學委員會科學技術資料中心;
  面頁冊數:	47頁 : 11x15公分;
  附註:	NSC86-2215-E019-001

• 以單原子摻雜製作ingap/gaas 高增益，低補償電壓的單及雙異質接面雙極性電晶體
• 羅文雄
  
  以單原子摻雜製作ingap/gaas 高增益，低補償電壓的單及雙異質接面雙極性電晶體 / 羅文雄 撰 ; 國立台灣海洋大學電機工程學系 - 台北市 : 行政院國家科學委員會科學技術資料中心 - 47頁 ; 11x15公分.
  NSC86-2215-E019-001.

• 以單原子摻雜製作ingap/gaas 高增益，低補償電壓的單及雙異質接面雙極性電晶體
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條碼號	典藏地名稱	館藏流通類別	資料類型	索書號	使用類型	借閱狀態	預約狀態	備註欄	附件
804621300000902	三樓視聽資料區	3.不外借	微縮資料	MF 621.3 6064	1.一般(Normal)	在架	0

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