大葉大學圖書館 |

語系: 繁體中文

說明(常見問題)

登入

回首頁

切換: 標籤 | MARC模式 | ISBD

以液相沉積法將雜質含入矽氧化層技術之研發

~

國立台灣大學電機工程學系暨研究

以液相沉積法將雜質含入矽氧化層技術之研發

紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
作者:	胡振國
其他團體作者:	國立台灣大學電機工程學系暨研究
出版地:	台北市
出版者:	行政院國家科學委員會科學技術資料中心;
面頁冊數:	159頁 : 11x15公分;
標題:	電機工程 -
附註:	NSC86-2215-E002-020

以液相沉積法將雜質含入矽氧化層技術之研發
胡振國

以液相沉積法將雜質含入矽氧化層技術之研發 / 胡振國撰 ; 國立台灣大學電機工程學系暨研究 - 台北市 : 行政院國家科學委員會科學技術資料中心 - 159頁 ; 11x15公分.
NSC86-2215-E002-020.
電機工程

以液相沉積法將雜質含入矽氧化層技術之研發
LDR:00409nhm 2200133 450 001 302364
009 9110015
100 $a 20100608 0chiy0900 e
101 $a chi
102 $a tw
200 1 $a 以液相沉積法將雜質含入矽氧化層技術之研發 $f 胡振國撰 $g 國立台灣大學電機工程學系暨研究
210 $a 台北市 $c 行政院國家科學委員會科學技術資料中心
215 $a 159頁 $d 11x15公分
300 $a NSC86-2215-E002-020
606 $a 電機工程 $3 9918
700 $a 胡振國 $4 撰 $3 2917
712 $a 國立台灣大學電機工程學系暨研究 $3 325906
801 1 $a TW $b 大葉大學 $c 20020322

筆 0 讀者評論

館藏

2 筆 • 頁數 1 •
1

典藏地名稱

館藏流通類別

804621300000880

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料

MF 621.3 4256 V1

1.一般(Normal)

在架

0

804621300000881

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料

MF 621.3 4256 V2

1.一般(Normal)

在架

0

2 筆 • 頁數 1 •
1

評論

新增評論分享你的心得

Export

取書館別

變更密碼

登入