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半導體薄膜界面反應與結構研究-子計畫四:氮化鈦,金屬及矽化物在矽,矽鍺,...

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成功大學材料科學及工程學系(所)

半導體薄膜界面反應與結構研究-子計畫四:氮化鈦,金屬及矽化物在矽,矽鍺,碳化矽晶片上生長行為,及

紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
作者:	林文台
其他團體作者:	成功大學材料科學及工程學系(所)
出版地:	台北市
出版者:	行政院國家科學委員會科學技術資料中心;
面頁冊數:	38頁 : 11x15公分;
標題:	材料工程 -
附註:	NSC85-2215-E006-017

半導體薄膜界面反應與結構研究-子計畫四:氮化鈦,金屬及矽化物在矽,矽鍺,碳化矽晶片上生長行為,及
林文台

半導體薄膜界面反應與結構研究-子計畫四:氮化鈦,金屬及矽化物在矽,矽鍺,碳化矽晶片上生長行為,及 / 林文台撰 ; 成功大學材料科學及工程學系(所) - 台北市 : 行政院國家科學委員會科學技術資料中心 - 38頁 ; 11x15公分.
NSC85-2215-E006-017.
材料工程

半導體薄膜界面反應與結構研究-子計畫四:氮化鈦,金屬及矽化物在矽,矽鍺,碳化矽晶片上生長行為,及
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館藏

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典藏地名稱

館藏流通類別

804440300000666

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料

MF 440.3 4402

1.一般(Normal)

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