大葉大學圖書館 |

語系: 繁體中文

說明(常見問題)

登入

回首頁

切換: 標籤 | MARC模式 | ISBD

使用氮化處理技術改進低壓化學氣相沉積鎢及低介電常數材料作為極大型積體電路...

~

交通大學電子所

使用氮化處理技術改進低壓化學氣相沉積鎢及低介電常數材料作為極大型積體電路金屬接觸擴散障礙層之特性研究

紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
作者:	鄧一中
其他團體作者:	交通大學電子所
出版者:	行政院國家科學委員會科學技術資料中心;
出版年:	1999
面頁冊數:	208頁 : 11x15公分;
標題:	電子工程 -
附註:	MOE88-0007-8511807-D

使用氮化處理技術改進低壓化學氣相沉積鎢及低介電常數材料作為極大型積體電路金屬接觸擴散障礙層之特性研究
鄧一中

使用氮化處理技術改進低壓化學氣相沉積鎢及低介電常數材料作為極大型積體電路金屬接觸擴散障礙層之特性研究 / 鄧一中撰 ; 交通大學電子所 : 行政院國家科學委員會科學技術資料中心, 1999. - 208頁 ; 11x15公分.
MOE88-0007-8511807-D.
電子工程

使用氮化處理技術改進低壓化學氣相沉積鎢及低介電常數材料作為極大型積體電路金屬接觸擴散障礙層之特性研究
LDR:00479nhm 2200133 450 001 290834
009 9204852
100 $a 20100608d1999 0chiy0900 e
101 $a chi
102 $a tw
200 1 $a 使用氮化處理技術改進低壓化學氣相沉積鎢及低介電常數材料作為極大型積體電路金屬接觸擴散障礙層之特性研究 $f 鄧一中撰 $g 交通大學電子所
210 $c 行政院國家科學委員會科學技術資料中心 $d 1999
215 $a 208頁 $d 11x15公分
300 $a MOE88-0007-8511807-D
606 $a 電子工程 $3 505
700 $a 鄧一中 $4 撰 $3 319244
712 $a 交通大學電子所 $3 60532
801 1 $a TW $b 大葉大學 $c 20030305

筆 0 讀者評論

館藏

3 筆 • 頁數 1 •
1

典藏地名稱

館藏流通類別

833448600000983

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料

MF 448.6 1715-A V1

1.一般(Normal)

限閱(視聽區)

0

833448600000984

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料

MF 448.6 1715-A V2

1.一般(Normal)

限閱(視聽區)

0

833448600000985

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料

MF 448.6 1715-A V3

1.一般(Normal)

限閱(視聽區)

0

3 筆 • 頁數 1 •
1

評論

新增評論分享你的心得

Export

取書館別

變更密碼

登入