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氣相磊晶法成長氮化鎵半導體及在發光二極體之應用
~
楊建成
氣相磊晶法成長氮化鎵半導體及在發光二極體之應用
紀錄類型:
微縮資料 : 單行本
作者:
楊建成
其他團體作者:
清華大學電機工程所
出版者:
行政院國家科學委員會科學技術資料中心;
出版年:
1999
面頁冊數:
207頁 : 11x15公分;
標題:
電機工程 -
附註:
MOE88-0002-D857920-D
氣相磊晶法成長氮化鎵半導體及在發光二極體之應用
楊建成
氣相磊晶法成長氮化鎵半導體及在發光二極體之應用
/ 楊建成 撰 ; 清華大學電機工程所 : 行政院國家科學委員會科學技術資料中心, 1999. - 207頁 ; 11x15公分.
MOE88-0002-D857920-D.
電機工程
氣相磊晶法成長氮化鎵半導體及在發光二極體之應用
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20030130
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