完全空乏與部份空乏矽在絕緣層上金氧半場效電晶體電流電壓特性之模擬研究
朱建中

 

  • 完全空乏與部份空乏矽在絕緣層上金氧半場效電晶體電流電壓特性之模擬研究
  • 紀錄類型: 微縮資料 : 單行本
    作者: 朱建中
    出版地: 台北市
    出版者: 國科會科學技術資料中心;
    面頁冊數: 79頁 :
    標題: 電子與資訊 -
    附註: MOE87-0115-8313720;黃柏仁 指導教授
館藏
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833448870000049 三樓視聽資料區 3.不外借 微縮資料 MF 448.87 2515 1.一般(Normal) 限閱(視聽區) 0
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