語系:
繁體中文
English
日文
簡体中文
說明(常見問題)
登入
回首頁
切換:
標籤
|
MARC模式
|
ISBD
兩階段氮化氧化層及各種閘電極對金氧半元件電特性之影響
~
莊讚誠
兩階段氮化氧化層及各種閘電極對金氧半元件電特性之影響
紀錄類型:
微縮資料 : 單行本
作者:
莊讚誠
出版地:
台北市
出版者:
國科會科學技術資料中心;
面頁冊數:
109頁 : 11x15公分;
標題:
工程 -
附註:
MOE87-0002-G863154; 張廖貴術 指導教授
兩階段氮化氧化層及各種閘電極對金氧半元件電特性之影響
莊讚誠
兩階段氮化氧化層及各種閘電極對金氧半元件電特性之影響
/ 莊讚誠 撰 - 台北市 : 國科會科學技術資料中心 - 109頁 ; 11x15公分.
MOE87-0002-G863154; 張廖貴術 指導教授.
工程
兩階段氮化氧化層及各種閘電極對金氧半元件電特性之影響
LDR
:00406nhm 2200133 450
001
113277
009
8923661
100
$a
20100607 0chiy0900 e
101
$a
chi
102
$a
tw
200
1
$a
兩階段氮化氧化層及各種閘電極對金氧半元件電特性之影響
$f
莊讚誠 撰
210
$a
台北市
$c
國科會科學技術資料中心
215
$a
109頁
$d
11x15公分
300
$a
MOE87-0002-G863154; 張廖貴術 指導教授
606
$a
工程
$3
28611
700
$a
莊讚誠
$4
撰
$3
103009
801
1
$a
TW
$b
大葉大學
$c
20001121
筆 0 讀者評論
全部
三樓視聽資料區
館藏
2 筆 • 頁數 1 •
1
條碼號
典藏地名稱
館藏流通類別
資料類型
索書號
使用類型
借閱狀態
預約狀態
備註欄
附件
833440000000656
三樓視聽資料區
3.不外借
微縮資料
MF 440 4400-A V1
1.一般(Normal)
限閱(視聽區)
0
833440000000657
三樓視聽資料區
3.不外借
微縮資料
MF 440 4400-A V2
1.一般(Normal)
限閱(視聽區)
0
2 筆 • 頁數 1 •
1
評論
新增評論
分享你的心得
Export
取書館別
處理中
...
變更密碼
登入