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分子束磊晶成長之不同溫度低溫砷化嫁缺陷分析

~

翁啟明

分子束磊晶成長之不同溫度低溫砷化嫁缺陷分析

紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
作者:	翁啟明
其他作者:	陳振芳
出版地:	台北市
出版者:	國科會科學技術資料中心;
面頁冊數:	83頁 : 11x15公分;
標題:	電子工程 -
附註:	MOE86-0007-8521532

分子束磊晶成長之不同溫度低溫砷化嫁缺陷分析
翁啟明

分子束磊晶成長之不同溫度低溫砷化嫁缺陷分析 / 翁啟明撰 ; 陳振芳指導 - 台北市 : 國科會科學技術資料中心 - 83頁 ; 11x15公分.
MOE86-0007-8521532.
電子工程

陳振芳

分子束磊晶成長之不同溫度低溫砷化嫁缺陷分析
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200 1 $a 分子束磊晶成長之不同溫度低溫砷化嫁缺陷分析 $f 翁啟明撰 $g 陳振芳指導
210 $a 台北市 $c 國科會科學技術資料中心
215 $a 83頁 $d 11x15公分
300 $a MOE86-0007-8521532
606 $a 電子工程 $3 505
700 $a 翁啟明 $4 撰 $3 96020
702 $a 陳振芳 $4 指導 $3 62842
801 1 $a TW $b 大葉大學 $c 20000529

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館藏

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1

典藏地名稱

館藏流通類別

833448600000328

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料(microform)

MF 448.6 8036-A

1.一般(Normal)

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