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分子束磊晶成長技術對砷化鎵系應變層高電子移動率電晶體特性之改良

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交通大學材料科學與工程所

分子束磊晶成長技術對砷化鎵系應變層高電子移動率電晶體特性之改良

紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
作者:	陳世雄
其他團體作者:	交通大學材料科學與工程所
出版者:	行政院國家科學委員會科學技術資料中心;
出版年:	1999
面頁冊數:	128頁 : 11x15公分;
標題:	工程材料 -
附註:	MOE88-0007-8018519-D

分子束磊晶成長技術對砷化鎵系應變層高電子移動率電晶體特性之改良
陳世雄

分子束磊晶成長技術對砷化鎵系應變層高電子移動率電晶體特性之改良 / 陳世雄撰 ; 交通大學材料科學與工程所 : 行政院國家科學委員會科學技術資料中心, 1999. - 128頁 ; 11x15公分.
MOE88-0007-8018519-D.
工程材料

分子束磊晶成長技術對砷化鎵系應變層高電子移動率電晶體特性之改良
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館藏

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典藏地名稱

館藏流通類別

833440300000978

三樓視聽資料區

3.不外借

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MF 440.3 7544 V1

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833440300000979

三樓視聽資料區

3.不外借

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MF 440.3 7544 V2

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