大葉大學圖書館 |

語系: 繁體中文

說明(常見問題)

登入

回首頁

切換: 標籤 | MARC模式 | ISBD

鍺離子佈植技術應用於淺接面製作產生的晶體缺陷之退火行為及其消除方法和低壓...

~

交通大學材料科學與工程所

鍺離子佈植技術應用於淺接面製作產生的晶體缺陷之退火行為及其消除方法和低壓化學沉積矽薄膜磊晶之研究

紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
作者:	陳邦旭
其他團體作者:	交通大學材料科學與工程所
出版者:	行政院國家科學委員會科學技術資料中心;
出版年:	1999
面頁冊數:	188頁 : 11x15公分;
標題:	工程材料 -
附註:	MOE88-0007-8018502-D

鍺離子佈植技術應用於淺接面製作產生的晶體缺陷之退火行為及其消除方法和低壓化學沉積矽薄膜磊晶之研究
陳邦旭

鍺離子佈植技術應用於淺接面製作產生的晶體缺陷之退火行為及其消除方法和低壓化學沉積矽薄膜磊晶之研究 / 陳邦旭撰 ; 交通大學材料科學與工程所 : 行政院國家科學委員會科學技術資料中心, 1999. - 188頁 ; 11x15公分.
MOE88-0007-8018502-D.
工程材料

鍺離子佈植技術應用於淺接面製作產生的晶體缺陷之退火行為及其消除方法和低壓化學沉積矽薄膜磊晶之研究
LDR:00488nhm 2200133 450 001 290724
009 9204742
100 $a 20100608d1999 0chiy0900 e
101 $a chi
102 $a tw
200 1 $a 鍺離子佈植技術應用於淺接面製作產生的晶體缺陷之退火行為及其消除方法和低壓化學沉積矽薄膜磊晶之研究 $f 陳邦旭撰 $g 交通大學材料科學與工程所
210 $c 行政院國家科學委員會科學技術資料中心 $d 1999
215 $a 188頁 $d 11x15公分
300 $a MOE88-0007-8018502-D
606 $a 工程材料 $3 14660
700 $a 陳邦旭 $4 撰 $3 319155
712 $a 交通大學材料科學與工程所 $3 319156
801 1 $a TW $b 大葉大學 $c 20030304

筆 0 讀者評論

館藏

2 筆 • 頁數 1 •
1

典藏地名稱

館藏流通類別

833440300000976

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料(microform)

MF 440.3 7554 V1

1.一般(Normal)

限閱(視聽區)

0

833440300000977

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料(microform)

MF 440.3 7554 V2

1.一般(Normal)

限閱(視聽區)

0

2 筆 • 頁數 1 •
1

評論

新增評論分享你的心得

Export

取書館別

變更密碼

登入