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以mocvd法成長高性能之單層及多層 -摻雜in/gaas/gaas量...

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成功大學電機工程研究所

以mocvd法成長高性能之單層及多層 -摻雜in/gaas/gaas量子井hemt結構

紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
作者:	許渭州
其他團體作者:	成功大學電機工程研究所
出版地:	台北市
出版者:	科學技術資料中心;
面頁冊數:	141頁 : 11x15公分;
標題:	電機工程 -
附註:	NSC84-2215-E006-017

以mocvd法成長高性能之單層及多層 -摻雜in/gaas/gaas量子井hemt結構
許渭州

以mocvd法成長高性能之單層及多層 -摻雜in/gaas/gaas量子井hemt結構 / 許渭州撰 ; 成功大學電機工程研究所 - 台北市 : 科學技術資料中心 - 141頁 ; 11x15公分.
NSC84-2215-E006-017.
電機工程

以mocvd法成長高性能之單層及多層 -摻雜in/gaas/gaas量子井hemt結構
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館藏

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1

典藏地名稱

館藏流通類別

804621300000580

三樓視聽資料區

3.不外借

微縮資料

MF 621.3 0833-1

1.一般(Normal)

在架

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