大葉大學圖書館 |

登入

回首頁

去有機金屬氣相磊晶法研製ingasb負電阻及ingasb量子井元件=th...

成功大學電機工程學研究所

去有機金屬氣相磊晶法研製ingasb負電阻及ingasb量子井元件=the fabrication of ingasb ndr and ingasb q w devices by mocvd

去有機金屬氣相磊晶法研製ingasb負電阻及ingasb量子井元件=the fabrication of ingasb ndr and ingasb q w devices by mocvd
成功大學電機工程學研究所

去有機金屬氣相磊晶法研製ingasb負電阻及ingasb量子井元件=the fabrication of ingasb ndr and ingasb q w devices by mocvd / 成功大學電機工程學研究所 ; 蘇炎坤著 - 台北市 : 科學技術資料中心, 1992. - 116頁 ; 11x15公分.
NSC81-0404-E006-101.

蘇炎坤

去有機金屬氣相磊晶法研製ingasb負電阻及ingasb量子井元件=the fabrication of ingasb ndr and ingasb q w devices by mocvd
LDR:00491nhm 2200133 450 001 66190
009 8511554
100 $a 20100607d1992 0chiy0900 e
101 $a chi
102 $a tw
200 1 $a 去有機金屬氣相磊晶法研製ingasb負電阻及ingasb量子井元件=the fabrication of ingasb ndr and ingasb q w devices by mocvd $f 成功大學電機工程學研究所 $g 蘇炎坤著
210 $a 台北市 $c 科學技術資料中心 $d 1992
215 $a 116頁 $d 11x15公分
300 $a NSC81-0404-E006-101
702 $a 蘇炎坤 $4 著 $3 7966
710 $a 成功大學電機工程學研究所 $3 64368
801 1 $a TW $b 大葉大學 $c 19960814