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半導體後結構能階的探討及電子聲子交互作用的影響 ~ 褚德三

 

• 半導體後結構能階的探討及電子聲子交互作用的影響

• 紀錄類型:	微縮資料 : 單行本
  作者:	陳岳男
  其他作者:	褚德三
  出版地:	台北市
  出版者:	國科會科學技術資料中心;
  面頁冊數:	68頁 : 11x15公分;
  標題:	電子工程 -
  附註:	MOE86-0007-8521502

• 半導體後結構能階的探討及電子聲子交互作用的影響
• 陳岳男
  
  半導體後結構能階的探討及電子聲子交互作用的影響 / 陳岳男 撰 ; 褚德三 指導 - 台北市 : 國科會科學技術資料中心 - 68頁 ; 11x15公分.
  MOE86-0007-8521502.
  電子工程
  
  褚德三

• 半導體後結構能階的探討及電子聲子交互作用的影響
• LDR:00352nhm 2200121 450 001 320958
  009 8909897
  100 $a  20100726d 0chiy0900 e
  101 $a  chi
  102 $a  tw
  200 1 $a  半導體後結構能階的探討及電子聲子交互作用的影響 $f  陳岳男 撰 $g  褚德三 指導
  210 $a  台北市 $c  國科會科學技術資料中心
  215 $a  68頁 $d  11x15公分
  300 $a  MOE86-0007-8521502
  606 $a  電子工程 $3  505
  700 $a  陳岳男 $4  撰 $3  95699
  702 $a  褚德三 $4  指導 $3  53864
  

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