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利用n2o與n2氣體快速加熱氮化於pecvd teos閘極氧化層及複晶矽...
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交通大學電子工程所
利用n2o與n2氣體快速加熱氮化於pecvd teos閘極氧化層及複晶矽氧化層之研究
紀錄類型:
微縮資料 : 單行本
作者:
朱浚□
其他團體作者:
交通大學電子工程所
出版者:
行政院國家科學委員會科學技術資料中心;
出版年:
1999
面頁冊數:
162頁 : 11x15公分;
標題:
電子工程 -
附註:
MOE88-0007-8711509
利用n2o與n2氣體快速加熱氮化於pecvd teos閘極氧化層及複晶矽氧化層之研究
朱浚□
利用n2o與n2氣體快速加熱氮化於pecvd teos閘極氧化層及複晶矽氧化層之研究
/ 朱浚□ 撰 ; 交通大學電子工程所 : 行政院國家科學委員會科學技術資料中心, 1999. - 162頁 ; 11x15公分.
MOE88-0007-8711509.
電子工程
利用n2o與n2氣體快速加熱氮化於pecvd teos閘極氧化層及複晶矽氧化層之研究
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20030306
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三樓視聽資料區
館藏
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833448600001005
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MF 448.6 2532 V1
1.一般(Normal)
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0
833448600001006
三樓視聽資料區
3.不外借
微縮資料
MF 448.6 2532 V2
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