徐清祥

互補式金氧半電晶體技術中之高壓p型通道電晶體之設計與研究 by: 張湘忠; 徐清祥 (微縮資料) , [指導]

3q手埋藏式注射結構之載子注入法研究摻氮超薄氧化層中之電子洞及介面陷阱的產生機構=study of oxide and interface traps... by: 徐清祥; 清華大學電機工程研究所 (微縮資料) , [著]

快閃記憶體元件之可靠性研究 by: 徐清祥; 沈士傑 (微縮資料) , [指導]

超大型積體電路的鋁合金導線良率和電遷移研究 - 子計畫一:鋁合金l線良率及可靠性分析=yield and electromigration modeling... by: 徐清祥; 清大電機工程研究所 (微縮資料) , [著]

第五族元素在深次微米p型電晶體閘極工程上之應用 by: 孫文堂; 徐清祥 (微縮資料) , [指導]

利用n-drift區之最佳設計開發高功能igbt之整合製程技術=optimization and fabrication of n-drift region tailored igbt by: 徐清祥; 清大電機工程學系 (微縮資料) , [著]

通道熱電洞引發熱電子寫入p型快閃記憶體之設計與分析 by: 徐清祥; 王彥森 (微縮資料) , [指導]

電力電子元件igbt之設計製造與量測-子計畫一:600v絕緣閘雙極晶體之設計與製造(i)=design and fabrication of power electronic d by: 國立清華大學電機工程研究所; 徐清祥 (微縮資料)

汲極干擾之電洞入對非揮發性記憶元件的影響 by: 國立清華大學電機工程研究所; 徐清祥 (微縮資料) , [撰]

電力電子元件igbt之設計、製造與量測-子計畫一:600v絕緣閘雙極電晶體之設計與製造(ii) by: 國立清華大學電機工程研究所; 徐清祥 (微縮資料) , [撰]